Пока Quick Charge 2.0 завоёвывала симпатии владельцев смартфонов по всему миру, предоставляя возможность заряжать батарею среднестатистического устройства с нуля до 60% всего за 30 минут, компания Qualcomm продолжала работать над совершенствованием своего продукта.
Как итог, во время анонса Quick Charge 3.0 было объявлено, что новая технология призвана пополнять аккумуляторы устройств на основе процессоров Snapdragon следующего поколения не только быстрее, но и эффективнее.
Позволим себе небольшой экскурс в историю.
Quick Charge 1.0 была быстрее стандартных зарядных устройств на 40%, а Quick Charge 2.0 уже на 75%. По утверждениям разработчиков, Quick Charge 3.0 и вовсе оказалась на 38% эффективнее, если сравнивать с предыдущим поколением. Она позволит пополнить батарею девайса с нуля до 80% всего за 35 мин.!
К тому же, помимо обеспечения такой безумной скорости, Qualcomm впервые использует алгоритм INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), суть которого состоит в том, что он динамически изменяет напряжение на контактах батареи так, чтобы в любой момент через нее постоянно протекал максимальный ток. Это должно помочь сократить энергопотребление.
Стоит отметить и тот факт, что технология предлагает диапазон рабочих напряжений от 3,6 В до 20 В с шагом в 200 мВ. Quick Charge 2.0 имел возможность использовать диапазоны только в 5 В, 9 В, 10 В и 20 В. Quick Charge 3.0 будет совместима с USB Type-C.
Qualcomm также анонсировала процессоры, с которыми будет работать новая версия Quick Charge: ими станут Snapdragon 820, 620, 618 и 430. Ориентировочная дата релиза первых устройств, использующих новейшую технологию – начало 2016 года. Видимо, всем нам придется немного подождать.
Опубликовано в: 
Помечено: